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Fonte: tc.ciadocha.com
Data: Janeiro de 2006

Nanoanéis poderão ser a chave para as memórias magnéticas
 

Inovação Tecnológica - Você certamente já ouviu falar de computadores que não perdem dados - nem mesmo o programa que estão rodando, voltando, ao serem religados, à exata situação em que se encontravam. E de discos rígidos do tamanho de uma moeda, capazes de armazenar mais de 100 filmes completos?

Estas e outras maravilhas são promessas das memórias magnéticas, ou MRAM - "Magnetic Random Access Memory" - as memórias magnéticas que deverão substituir os pentes de memória comuns que equipam seu computador atual.

Como elas não perdem dados, estas memórias não precisam esperar que os dados nelas gravados se estabilizem - o chamado período de latência. Embora, no caso das memórias atuais, esse tempo esteja na caso dos microsegundos, são alguns microsegundos a cada operação. Resultado: as memórias magnéticas são muito mais rápidas e consomem simplesmente 99% menos energia.

O grande desafio para os pesquisadores, porém, está em descobrir uma forma de construir memórias magnéticas de alta densidade - inúmeras células individuais de memória trabalhando em conjunto e lado a lado - e que sejam estáveis.

Agora, uma equipe de pesquisadores da Universidade Johns Hopkins, Estados Unidos, apresentou o que eles acreditam ser uma resposta definitiva para esse problema: minúsculos anéis de cobalto ou níquel. A idéia foi apresentada em um artigo no último exemplar da revista Physical Review Letters.

Esses "nanoanéis" conseguem armazenar uma quantidade enorme de dados e são imunes ao problema dos campos magnéticos "vagais" - camposmagnéticos que "vazam" de outros tipos de magnetos e "ficam vagueando" pelas cercanias, interferindo com os magnetos vizinhos. Os nanoanéis são extremamente pequenos, com um diâmetro de cerca de 100 nanômetros.

"É o desenho assimétrico que é a grande descoberta, mas nós estamos também muito entusiasmados com a rapidez, eficiência e baixo custo do método que criamos para construí-los, explica Frank Q. Zhu, um dos autores da descoberta.

O projeto assimétrico permite que vários nanoanéis terminem num estado chamado de "estado vórtex", significando que não possuem campos magnéticos vagais. Assim, uma célula não interfere com a outra, permitindo a construção de conjuntos com alta densidade de células. Como resultado, aumenta incrivelmente a quantidade de informação que pode ser armazenada por área.

     
   
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